Centro Grandi Apparecchiature - Scuola di Scienze e Tecnologie
|
|
|
|
Centro Grandi Apparecchiature - Scuola di Scienze e Tecnologie
|
L'impianto di epitassia da fasci molecolari (MBE) è utilizzato per la crescita di film di Silicio (Si), Germanio (Ge), e loro leghe (SixGe1-x) su substrati di Si con orientazione superficiale (100) e (111). Sono possibili, inoltre, sia la realizzazione di eterostrutture di Si-Ge (buche quantiche multiple e superreticoli) in modo automatizzato sia il drogaggio di tipo n (As o Sb) dei film. La camera MBE è equipaggiata con strumenti per l'analisi e la caratterizzazione in situ quali un analizzatore di gas residui (RGA), un sistema per la spettroscopia Auger (AES) ed un sistema per lo studio della diffrazione di elettroni sia a bassa energia (LEED) che ad alta energia (RHEED). Completano l'impianto di crescita altre due camere in ultra vuoto a quella di deposizione. Una di queste è usata per la preparazione dei substrati di Si e l'evaporazione di contatti metallici; l'altra per la spettroscopia dei fotoelettroni x (XPS). DATI TECNICI: Camera di crescita MBE: L'impianto MBE RIBER mod. EVA 32 è in grado di evaporare materiale su substrati sino a 3''di diametro e di riscaldarli fino a 1200 °C. E' equipaggiato con 3 celle Knudsen per l'evaporazione rispettivamente di Si, Ge e Sb (oppure As). Completa le sorgenti di evaporazione un cannone ad elettroni TEMESCAL mod. SFIH-270-2 con relativo alimentatore da 10 kW TELEMARK mod. TT-10 E usato per produrre elevati flussi di evaporazione di Si. La misura di questi flussi di Si è affidata ad un sistema di spettroscopia ad emissione per impatto elettronico (EIES) della LEYBOLD mod. SENTINELL III. Tecniche di analisi e caratterizzazione in situ: 1) analizzatore di gas residui a singolo filtro da 0 a 100 a.m.u. FISONS mod. Quartz 100; 2) RHEED CAMECA mod. 410 sino a 10 keV di energia; 3) LEED-AES della OMICRON mod. Spectraleed. Sia le figure di diffrazione RHEED che LEED possono essere acquisite e digitalizzate tramite una telecamera a CCD in B/N collegata ad un frame grabber montato su un PC. Camera di analisi XPS: La camera consente l'analisi XPS usando sia una sorgente di raggi x (AlKa e MgKa) VG Instruments, sia di elettroni. Il rivelatore di elettroni è il RIBER MAC II. Camera di metallizzazione: In questa camera è montato un evaporatore termico per la contattatura metallica dei film cresciuti per MBE. MODALITA' DI ACCESSO: Data la particolare configurazione e complessità dell'apparato MBE sopra descritto, l'accesso alla suddetta macchina è reso possibile a tutti i ricercatori che abbiano un programma di ricerca specifico sul Si monocristallino e sulle leghe di silicio-germanio. Il programma scientifico dovrà essere vagliato dai responsabili della strumentazione per accertarne la fattibilità in termini di sintesi dei materiali e delle strutture proposte. Pertanto, i costi effettivi di utilizzo dell'apparecchiatura sono difficilmente quantificabili e sono legati soprattutto allo scambio tra i diversi ricercatori. RESPONSABILE STRUMENTAZIONE: Dr. Nicola Pinto Tel + 39 0737 402528 Fax + 39 0737 402524 e-mail: nicola.pinto@unicam.it RESPONSABILE SCIENTIFICO: Prof. Roberto Murri Tel + 39 0737 402515 e-mail: roberto.murri@unicam.it |
